Рейтинг@Mail.ru
    (+7914) 735-9413
    (пусто)
     
    Валюта:
    English  Русский 

    Каталог

    Блог / Новости

    июль 2009
    Подписаться на новости:
    или RSS 2.0

    SDRAM (2)
    DDR (6)
    DDR2 (32)
    DDR3 (28)
    SODIMM (4)

    Сортировать по: наименованию (возр | убыв), цене (возр | убыв), рейтингу (возр | убыв)

    1   2   3   4   след >>

    Модуль небуферизированный памяти типа DDR, объёмом 1024 Мб, рабочей частотой 200 МГц и пропускной способностью 3200 Мб/сек.

    1695.00 руб.
    955.00 руб.
    495.00 руб.

    Модуль небуферизированный памяти типа DDR2, объёмом 2048 Мб, c частотой 800 МГц, пропускной способностью 6400 Мб/сек.

    895.00 руб.

    Модуль небуферизированный памяти типа DDR2, объёмом 512 Мб, c частотой 800 МГц, пропускной способностью 6400 Мб/сек.

    315.00 руб.

    Модуль небуферизированный памяти типа DDR3, объёмом 1024 Мб, c частотой 1333 МГц и пропускной способностью 10667 Мб/сек.

    795.00 руб.
    1495.00 руб.
    895.00 руб.
    1595.00 руб.

    Модуль небуферизированный памяти типа DDR, объёмом 1024 Мб, рабочей частотой 200 МГц и пропускной способностью 3200 Мб/сек от одного из лидеров по производству полупроводниковых компонентов Hynix.

    1795.00 руб.

    Модуль небуферизированный памяти типа DDR2, объёмом 1024 Мб, c частотой 800 МГц, пропускной способностью 6400 Мб/сек и временем доступа 5 нс от одного из лидеров по производству полупроводниковых компонентов Hynix.

    525.00 руб.

    Модуль небуферизированный памяти типа DDR2, объёмом 2048 Мб, c частотой 800 МГц, пропускной способностью 6400 Мб/сек и временем доступа 5 нс от одного из лидеров по производству полупроводниковых компонентов Hynix.

    955.00 руб.

    Модуль небуферизированный памяти типа DDR2, объёмом 512 Мб, c частотой 800 МГц, пропускной способностью 6400 Мб/сек и временем доступа 5 нс от одного из лидеров по производству полупроводниковых компонентов Hynix.

    345.00 руб.

    Модуль небуферизированный памяти типа DDR3, объёмом 1024 Мб, c частотой 1333 МГц, пропускной способностью 10667 Мб/сек от одного из лидеров по производству полупроводниковых компонентов Hynix.

    855.00 руб.

    Модуль небуферизированный памяти типа DDR3, объёмом 2048 Мб, c частотой 1333 МГц, пропускной способностью 10667 Мб/сек от одного из лидеров по производству полупроводниковых компонентов Hynix.

    1695.00 руб.
    1495.00 руб.

    Модуль небуферизированный памяти типа DDR, объёмом 512 Мб, рабочей частотой 200 МГц и пропускной способностью 3200 Мб/сек от одного из лидеров по производству полупроводниковых компонентов Hynix.

    995.00 руб.
    2695.00 руб.

    Модуль небуферизированный памяти типа DDR, объёмом 1024 Мб, c частотой 400 МГц, пропускной способностью 3200 Мб/сек и временем доступа 5 нс от одного из лидеров по производству высококачественных модулей памяти Kingston.

    1895.00 руб.

    Модуль небуферизированный памяти типа DDR2, объёмом 2048 Мб, c частотой 800 МГц и пропускной способностью 6400 Мб/сек от мирового лидера в производстве полупроводников Samsung Electronics, выпускающего одни из самых стабильных и качественных модулей памяти на Российском рынке.

    995.00 руб.

    1   2   3   4   след >>

    © Пакет.
    Работает на основе скрипта интернет-магазина WebAsyst Shop-Script